九游电子SIC MOSFET 碳化硅功率模块上线
发布日期：2024-02-21 15:31:53浏览次数：1364
九游电力电子基于半导体碳化硅技术，全新推出“SiC MOSFET功率模块新品APS005B120SSND4、APS005B120TNND6、P2S0150ESD0120M、P2S0300S620120M”。可应用于汽车的电源和空调压缩机。
与传统的硅器件相比，碳化硅 (SiC) 器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外，SiC让设计人员能够减少元件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于设计出能够减少CO排放量的环保型九游·产品和系统。 九游在SiC功率元器件和模块的开发领域处于行业先进地位，已完成这种电能损耗小，系统成本降低、系统效率提升的SiC技术变革并已达到量产水平。九游电力电子设计研发的SiC碳化硅功率模块将会使电动车的续航里程更长、能效更高、加速更快。
针对传统工控、储能逆变等不同的客户需求，九游电力电子依托先进的第三代半导体器件生产线，可响应不同封装及规格的 SiC 功率模块定制开发需求，为客户提供高质量的定制化九游·产品服务。
